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AI算力卷到白热化，芯片却快“热炸”了！
英伟达H100峰值功耗超700W，下一代Rubin处理器直奔1800W，2029年甚至要冲到6000W。算力飙升的背后，是传统封装的“崩溃”——硅中介层散热跟不上、容易开裂，CoWoS封装的“功耗墙”成了AI算力的致命瓶颈。
而破局的关键，藏在“先进封装+SiC”的组合里。台积电广发英雄帖推进SiC中介层，英伟达计划2027年导入12英寸SiC衬底，产业巨头集体押注。
A股市场早已闻风而动：先进封装指数年初至今涨幅超14%，长电科技单日成交额破50亿，晶盛机电、天岳先进等SiC标的异动，一场由“AI算力刚需+SiC技术突破+国产替代”驱动的盛宴，已经开席！
（来源：同花顺）
01
算力需求飙升，先进封装成破局关键
AI大模型训练、数据中心算力需求呈指数级飙升，直接把芯片推向“功耗极限”。2025年中国智能算力规模达1037.3 EFLOPS，2026年还要再涨40%，但传统封装早就扛不住了。
芯片性能每提升1倍，功耗就要翻3倍，而硅中介层的热导率只有148 W/m·K，根本散不掉超高功率带来的热量。更麻烦的是，随着CoWoS中介层尺寸变大，硅材质容易分层开裂，良率大幅下降。
（来源：华西证券研究所）
这时候先进封装站了出来。通过2.5D/3D堆叠、混合键合、SiC中介层替代等技术，不仅能解决散热难题，还能让芯片互连密度提升10倍以上，成为超越摩尔定律的核心抓手。Yole预测，2030年全球先进封装市场规模将突破790亿美元，其中2.5D/3D封装增速高达37%，妥妥的高景气赛道。
02
从2.5D到SiC，技术迭代不停
先进封装的核心升级逻辑，是“材料+工艺”双突破，尤其是SiC的加入，让行业迎来质变。
先看工艺迭代：传统2.5D封装靠硅中介层连接芯片，但性能见顶；3D封装通过混合键合技术，实现铜-铜直接连接，互连间距从20μm缩小到
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评论列表（3条）
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